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N沟道增强型MOSFET饱和区工作条件是删源电压VGS大于开启电压VT,漏源电压 VDS 大于 删源电压VGS和开启电压VT之差（）
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电路如下图所示，设R1=R2=100kΩ，VDD=5V，Rd=7.5kΩ，VT=-1V，Kp=0.2mA/V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
电路如下图所示，设Rg1=90kΩ，Rg2=60kΩ，Rd=30kΩ，VDD=5V，VT=1V，KN=0.1mA/V2。试计算电路的栅源电压VGS和漏源电压VDS。
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.0mA/V2，VP=0.5V，iD=-0.5mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压VGS和漏源电压vDS等于多少？
下图所示为MOSFET的转移特性，分别说明各属于哪种沟道。如是增强型，说明它的开启电压VT=？如是耗尽型，说明它的夹断电压Vp=？(图中iD的假定正向为流进漏极。)
