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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

半导体电阻应变片在测量某一构件应变时,其电阻的相对变化主要是由()引起。

A.半导体电阻率的变化

B.半导体几何尺寸的变化;

C.贴片位置的温度变化

D.供桥电源的变化

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第1题
金属丝应变片在测量某一构件的应变时,其电阻的相对变化主要由()来决定。

A.贴片位置的温度变化

B.电阻丝几何尺寸的变化

C.电阻材料电阻率的变化

D.构件的应变

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第2题
金属丝应变片在测某一构件的应变时,其电阻的相对变化率主要由电阻材料的电阻率的变化决定。()
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第3题
金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起其电阻相对变化的原因为()。

A、金属丝几何尺寸的变化

B、金属丝材料弹性模量的变化

C、金属丝电阻率的变化

D、金属丝压阻系数的变化

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第4题
金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。

A.A.贴片位置的温度变化

B.B.电阻丝几何尺寸的变化

C.C.电阻丝材料的电阻率变化

D.D.外接导线的变化

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第5题
金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。

A.贴片位置的温度变化

B.电阻丝几何尺寸的变化

C.电阻丝材料的电阻率变化

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第6题
用电阻应变片接成全桥,测量某一构件的应变,已知其变化规律为:ε(t)=Acos10t+Bcos100t,如果电桥激励电压是ui=

用电阻应变片接成全桥,测量某一构件的应变,已知其变化规律为:ε(t)=Acos10t+Bcos100t,如果电桥激励电压是ui=Esin10000t。求此电桥输出信号的频谱。

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第7题
用电阻应变片接成全桥,测量某一构件的应变,已知其变化规律为:ε=Acos10t+Bcos100t,如果电桥的激励电压ui=Usi

用电阻应变片接成全桥,测量某一构件的应变,已知其变化规律为:ε=Acos10t+Bcos100t,如果电桥的激励电压ui=Usin10000t,试求此电桥的输出信号频谱,画出频谱图。

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第8题
用电阻应变仪接成全桥,单臂工作,测量某一构件的应变,已知其变化规律为 ε(t)=10cos10t+8cos100t 如果电桥

用电阻应变仪接成全桥,单臂工作,测量某一构件的应变,已知其变化规律为

ε(t)=10cos10t+8cos100t

如果电桥激励电压是u0=4sin10000t,应变仪灵敏度系数K=2。求此电桥输出信号的频谱,并画出频谱图。

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第9题
半导体应变片的电阻应变片主要是利用半导体材料的_____。

A.A.形变

B.B.电阻率的变化

C.C.弹性模量的变化

D.D.泊松比的变化

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第10题
电阻应变计灵敏系数越大,单位应变引起的相对电阻变化越小。()

电阻应变计灵敏系数越大,单位应变引起的相对电阻变化越小。()

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