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[单选题]
半导体电阻应变片在测量某一构件应变时,其电阻的相对变化主要是由()引起。
A.半导体电阻率的变化
B.半导体几何尺寸的变化;
C.贴片位置的温度变化
D.供桥电源的变化
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A.半导体电阻率的变化
B.半导体几何尺寸的变化;
C.贴片位置的温度变化
D.供桥电源的变化
用电阻应变片接成全桥,测量某一构件的应变,已知其变化规律为:ε(t)=Acos10t+Bcos100t,如果电桥激励电压是ui=Esin10000t。求此电桥输出信号的频谱。
用电阻应变片接成全桥,测量某一构件的应变,已知其变化规律为:ε=Acos10t+Bcos100t,如果电桥的激励电压ui=Usin10000t,试求此电桥的输出信号频谱,画出频谱图。
用电阻应变仪接成全桥,单臂工作,测量某一构件的应变,已知其变化规律为
ε(t)=10cos10t+8cos100t
如果电桥激励电压是u0=4sin10000t,应变仪灵敏度系数K=2。求此电桥输出信号的频谱,并画出频谱图。