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在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时______。
A.屏蔽效应增强,相对化学位移大,峰在高场出现;
B.屏蔽效应减弱,相对化学位移大,峰在高场出现;
C.屏蔽效应增强,相对化学位移小,峰在高场出现;
D.屏蔽效应增强,相对化学位移大,峰在低场出现。
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A.屏蔽效应增强,相对化学位移大,峰在高场出现;
B.屏蔽效应减弱,相对化学位移大,峰在高场出现;
C.屏蔽效应增强,相对化学位移小,峰在高场出现;
D.屏蔽效应增强,相对化学位移大,峰在低场出现。
A.屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现
B.屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现
C.屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现
D.屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现
A.核外的电子云密度减弱,化学位移值大,峰在高场出现
B.核外的电子云密度减弱,化学位移值大,峰在低场出现
C.核外的电子云密度增强,化学位移值小,峰在高场出现
D.核外的电子云密度增强,化学位移值大,峰在低场出现
A.屏蔽效应较弱,相对化学位移较大,共振峰出现在高场
B.屏蔽效应较强,相对化学位移较小,共振峰出现在高场
C.屏蔽效应较强,相对化学位移较大,共振峰出现在低场
D.屏蔽效应较强,相对化学位移较大,共振峰出现在高场
A.扫频下的高频,扫场下的高场,化学位移δ值较小
B.扫频下的高频,扫场下的低场,化学位移δ值较大
C.扫频下的低频,扫场下的高场,化学位移δ值较大
D.扫频下的低频,扫场下的高场,化学位移δ值较小
A.大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区;
B.大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区;
C.小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区;
D.小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区。
A.扫场下的高场和扫频下的高频,较小的化学位移值
B.扫场下的高场和扫频下的低频,较小的化学位移值
C.扫场下的低场和扫频下的高频,较大的化学位移值
D.扫场下的低场和扫频下的低频,较大的化学位移值
A.扫场下的高场和扫频下的高频,较小的化学位移值(δ)
B.扫场下的高场和扫频下的低频,较小的化学位移值(δ)
C.扫场下的低场和扫频下的高频,较大的化学位移值(δ)
D.扫场下的低场和扫频下的低频,较大的化学位移值(δ)