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[主观题]

在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中,由于受主能级比施主能级低得多,施主能级上的电子首先要去填充受主能级,使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱,这种现象称为杂质补偿。

A.错误

B.正确

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第1题
说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小?

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第2题
衡量电子填充能级水平的是()。

A.施主能级

B.费米能级

C.受主能级

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第3题
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()

A.施主

B.受主

C.复合中心

D.陷阱

E.两性杂质

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第4题
PN结空间电荷区是由(_ _ _)

A、电子和空穴的构成

B、正离子和负离子构成

C、施主杂质原子和受主杂质原子构成

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第5题
如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定()。

A.不含施主杂质

B.不含受主杂质

C.不含任何杂质

D.处于绝对零度

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第6题
为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级?

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第7题
计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第8题
一块有杂质补偿的硅材料,已知掺入受主密度NA=1×1015/cm3,室温下测得其EF恰好与施主能级重合,并得知平衡电子

一块有杂质补偿的硅材料,已知掺入受主密度NA=1×1015/cm3,室温下测得其EF恰好与施主能级重合,并得知平衡电子密度为n0=5×1015/cm3。已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5×1010/cm3,试求:

1)平衡少子密度?

2)掺入材料中的施主杂质密度?

3)电离杂质密度和中性杂质密度?

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第9题
设一n型半导体导带电子的有效质量,求在300K时,使费米能级的施主浓度。设此时施主的电离很弱。

设一n型半导体导带电子的有效质量,求在300K时,使费米能级的施主浓度。设此时施主的电离很弱。

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