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第6题
下列说法正确的是（)①硅二极管的死区电压是0.5V左右②锗二极管的死区电压是0.1V左右③硅二极管的死区电压是0.1左右④锗二极管的死区电压是0.5V左右
A.①、②
B.①、③
C.②、④
D.③、④
第7题
硅二极管和锗二极管的门槛电压（死区电压)分别约为__________V和__________V，通常情况下，它们的正
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为__________V和__________V，通常情况下，它们的正向导通电压的工程取值分别为__________V和__________V。
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第8题
锗二极管的导通电压()，死区电压()。硅二极管的导通电压()，死区电压()。 （a) 0.7V （b) 0.1V （c) 0.
锗二极管的导通电压( )，死区电压( )。硅二极管的导通电压( )，死区电压( )。
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(a) 0.7V (b) 0.1V (c) 0.3V (d) 0.5V
