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[主观题]

根据晶体场理论,在d1~d10过渡金属离子中,在八面体配合物中既有高自旋(HS)又有低自旋(LS)电子排布的离子,其d

根据晶体场理论,在d1~d10过渡金属离子中,在八面体配合物中既有高自旋(HS)又有低自旋(LS)电子排布的离子,其d电子构型是______。

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第1题
在八面体配合物中,哪些d电子构型在高自旋和低自旋排布中可能存在差异。
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第2题
构型为d1到d10的过渡金属离子,在八面体配合物中,哪些有高、低自旋之分?哪些没有?
构型为d1到d10的过渡金属离子,在八面体配合物中,哪些有高、低自旋之分?哪些没有?
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第3题
K4[Fe(CN)6]为低自旋配合物,[Fe(H2O)6]Cl3是高自旋配合物。根据晶体场理论分别写出它们的中心离子的电子排布

K4[Fe(CN)6]为低自旋配合物,[Fe(H2O)6]Cl3是高自旋配合物。根据晶体场理论分别写出它们的中心离子的电子排布。

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第4题
K4[Fe(CN)6]为低自旋配合物,[Fe(H2O)6]Cl3是高自旋配合物。 根据晶体场理论分别写出它们的中心离
K4[Fe(CN)6]为低自旋配合物,[Fe(H2O)6]Cl3是高自旋配合物。 根据晶体场理论分别写出它们的中心离子的电子排布。

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第5题
已知电子的成对能(P)与d轨道的分裂能(△o)的相对大小会影响八面体构型的配离子成为高自旋或低自旋的配离子。
已知电子的成对能(P)与d轨道的分裂能(△o)的相对大小会影响八面体构型的配离子成为高自旋或低自旋的配离子。下列论述正确的是

(A) P>△o)时形成低自旋配合物 (B) P<△o)时形成高自旋配合物

(C) P>△o)时形成高自旋配合物 (D) P<△o)时形成低自旋配合物

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第6题
在过渡金属离子的八面体配合物中,当 d 轨道分裂能(△ o )大于电子成对能(P)时,可形成________
在过渡金属离子的八面体配合物中,当 d 轨道分裂能(△ o )大于电子成对能(P)时,可形成________自旋配合物,配体属于________场配体。当△ o

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第7题
K3[Fe(CN)6]是低自旋配合物,K3[FeF6]是高自旋配合物,按晶体场理论,这两个配合物的中心离子上的d
K3[Fe(CN)6]是低自旋配合物,K3[FeF6]是高自旋配合物,按晶体场理论,这两个配合物的中心离子上的d电子的排布分别是________和________。

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第8题
下列配体中,与过渡金属离子只能形成低自旋八面体配合物的是()。

A.F - ;

B.I - ;

C.H 2 O;

D.CN - 。

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第9题
在八面体场中,具有d6电子组态的过渡金属配合物,其高自旋的晶体场稳定化能为______,低自旋的晶体场稳定化能
在八面体场中,具有d6电子组态的过渡金属配合物,其高自旋的晶体场稳定化能为______,低自旋的晶体场稳定化能为______。
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