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题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

晶体管的穿透电流ICEO是表明()。

A、该管温度稳定性好坏的参数

B、该管允许通过最大电流的极限参数

C、该管放大能力的参数

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第1题
三极管的()是用来表示三极管的电流放大能力的参数。

A.电流放大系数

B.穿透电流

C.最大允许电流

D.反向击穿电压

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第2题
当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必被击穿。

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第3题
某晶体管在VCE=10 V,IE=1 mA时的fT=250 MHz,又rbb=70 Ω,Cbc=3 pF,β0=50。求该管在f=10 MHz时的共
发电路的Y参数。

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第4题
3DG6C型晶体管在VCE=10V,IE=1mA时的fT=250MHz,又rhb'=70Ω,Cb'c=3pF,β0=50,Rcc忽略不计。求该管在频率为10MHz

3DG6C型晶体管在VCE=10V,IE=1mA时的fT=250MHz,又rhb'=70Ω,Cb'c=3pF,β0=50,Rcc忽略不计。求该管在频率为10MHz时的共发电路的y参数。

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第5题
()不是三极管的主要参数。

A.电流放大系数

B.穿透电流

C.工作频率

D.极限参数

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第6题
测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的b为()。

A.40

B.50

C.60

D.100

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第7题
某半导体三极管的输出特性如图1.12所示。试求出该管的β,α, ICEO,U(BR)CEO和PCM。

某半导体三极管的输出特性如图1.12所示。试求出该管的β,α, ICEO,U(BR)CEO和PCM

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第8题
测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V,V2=-5V,V3=-0.3V,则可判断()。

A、该管为NPN管,材料为硅,1极为集电极

B、该管为NPN管,材料为锗,2极为集电极

C、该管为PNP管,材料为硅,1极为集电极

D、该管为PNP管,材料为锗,2极为集电极

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第9题
晶体三极管的电流放大倍数β值越大,说明该管的电流控制能力越强,所以三极管的β值越大越好。()
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