有n型CdS正方晶片，边长为1mm，厚为0.1mm，其波长吸收限为。今用光强度为1mW／cm2的紫色光（λ=409.6)照射正方形表

有n型CdS正方晶片，边长为1mm，厚为0.1mm，其波长吸收限为。今用光强度为1mW/cm²的紫色光(λ=409.6)照射正方形表面，量子产额为β=1。设光生空穴全部被陷，光生电子寿命为τ_n=10^-5s，电子迁移率为μ_n=100cm²/(V·s)；并设光照能量全部被晶片吸收，求下列各值。