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用光子流强度为P0，光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知Eg＞ hy＞ qφB。(φ为接触势垒高度)，则在金属层内产生的光生电子，有部分向半导体内发射。如金属中光的吸收系数为a,金属厚度为1。在离光照(金属)面x处，光生电子逸入半导体的几率为
。设金属中光生电子量子产额为β。
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