题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
本征半导体是指（）的半导体。
A.不含杂质与缺陷；
B.电子密度与空穴密度相等；
C.电阻率最高；
C.电子密度与本征载流子密度相等。
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B.电子密度与空穴密度相等；
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的电阻率．在这种情况下，最高的电阻率是本征半导体电阻率的多少倍？如果μn＞μp，最高电阻率的半导体是N型还是P型？
A.自由电子浓度增大，空穴浓度减小
B.空穴浓度增大，自由电子浓度减小
C.自由电子浓度和空穴浓度的增量相等
D.自由电子浓度和空穴浓度的减量相等
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电．而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
B.N型半导体的导电性能优于P型半导体，因为N型半导体是负电子导电，P型半导体是正离子导电
C.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去．大大提高了半导体导电性能
D.P型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电
(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去，大大提高了半导体导电性能
(D) p型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度NA=1×1015/cm3，室温下测得其EF恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n0=5×1015/cm3。已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5×1010/cm3，试求：
1）平衡少子密度？
2）掺入材料中的施主杂质密度？
3）电离杂质密度和中性杂质密度？
电工学第七版下册课后练习与思考题答案 14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的？为什么杂质半分体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小？
