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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

硅的禁带宽度Eg=1.1eV，当掺入少量杂质磷（△ED=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图？并

硅的禁带宽度E_g=1.1eV，当掺入少量杂质磷(△E_D=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图？并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限？

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更多“硅的禁带宽度Eg=1.1eV，当掺入少量杂质磷（△ED=0.…”相关的问题

第1题

在本征硅半导体中，掺入浓度为5×1015cm－3的受主杂质，试指出T=300K时所形成的杂质类型。若再掺入浓度为1016cm－

在本征硅半导体中，掺入浓度为5×10¹⁵cm^-3的受主杂质，试指出T=300K时所形成的杂质类型。若再掺入浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质，则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K，试分析为何种类型半导体

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第2题

在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？

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第3题

当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。

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第4题

根据在本征半导体中掺入的杂质不同，可把杂质半导体分为：()两大类。

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第5题

本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。()

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第6题

把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中，杂质的电离能和轨道半径是否不同？把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中（例如锗和硅），杂质的电离能和轨道半径又是否都相同？

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第7题

下列关于半导体的描述正确的是（）

A.通常把主要依靠导带电子导电的半导体成为n型半导体

B.在小注入的情况下,非平衡少数载流子的影响可以忽略

C.根据杂质原子在晶体中的位置,可分为间隙式和替位式

D.根据杂质能级在禁带中的位置,可分为深能级杂质和浅能级杂质

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第8题

一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度NA=1×1015／cm3，室温下测得其EF恰好与施主能级重合，并得知平衡电子

一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度N_A=1×10¹⁵/cm³，室温下测得其E_F恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n₀=5×10¹⁵/cm³。已知室温下硅的本征载流子密度n_i=1.5×10¹⁰/cm³，试求：

1）平衡少子密度？

2）掺入材料中的施主杂质密度？

3）电离杂质密度和中性杂质密度？

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第9题

在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。

A.锗

B.磷

C.硼

D.锡

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