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已知一个硅二极管在外加正向电压VD=0.6V时的正向电流为ID=10mA，试计算当VD增加到0.66V时(即增加10%)的正向电流ID为多少？并分析所得结果。
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两个硅二极管在室温时反向饱和电流分别为2×10-12A和2×10-15A，若定义二极管电流I=0.1mA_时所需施加的电压为导通电压，试求各VD(on)。若I增加到10倍，试问VD(on)增加多少伏。
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一个硅二极管工作在0.5V的正向电压下，当温度从25℃上升到150℃时，计算电流增加的倍数．假设I≈I0eV/(2VT)，且I0每10℃增加一倍．
已知锗PN结的反向饱和电流为10-8A。当外加电压V为0.2V、0.36V及0.4V时，试求室温下流过PN结的电流I？由计算结果说明伏安特性的特点。
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