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[主观题]
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为______V和______V。通常情况下,它们的正向导通电压的工程取
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为______V和______V。通常情况下,它们的正向导通电压的工程取值分别为______V和______V。
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硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为______V和______V。通常情况下,它们的正向导通电压的工程取值分别为______V和______V。
(a) 0.7V (b) 0.1V (c) 0.3V (d) 0.5V
A.①、②
B.①、③
C.②、④
D.③、④