题目内容
（请给出正确答案）
下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA，UGS(off)=-4V，计算ID和UDS的值。
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA，…”相关的问题
(1) 静态工作点Q(ID，UGS，UDS)；
(2) 输入电阻Ri和输出电阻Ro；
(3) 电压放大倍数Au。
A．增强型N沟道场效应管
B．耗尽型N沟道场效应管
C．增强型P沟道场效应管
D．耗尽型P沟道场效应管
放大电路如下图所示，V为N沟道耗尽型场效应管，gm=1mS；VT为双极型晶体管，β=50，rbe=1kΩ，试计算放大电路的电压增益，输入电阻Ri和输出电阻Ro。
一N沟道EMOSFET组成的电路如图3-11所示，要求场效应管工作于饱和区，ID=1mA，VDSQ=6V，已知管子参数为
，VGS(th)=2V，设λ=0，试设计该电路。
已知一只N沟道增强型MOS管的漏极特性曲线如题图(a)所示。试在题
图(b)中作出UDS=15V时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UGS(th)和IDo值，以及当UDS=15V，UGS=4V时的跨导gm。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
