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[主观题]

图2－29（a)所示为一支半导体砷化镓发光管，管芯AB为发光区，其直径d≈3mm．为了避免全反射，发光管上部研磨成半球

图2-29(a)所示为一支半导体砷化镓发光管，管芯AB为发光区，其直径d≈3mm．为了避免全反射，发光管上部研磨成半球形，以使内部发的光能够以最大的透射率向外输送．如果要使发光区边缘两点A和B发出的光不致全反射，半球的半径至少应取多少？(已知砷化镓的折射率为3.4(对发射的0.9μm波长)．)

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第1题

图13－17所示为一GaAs发光管,为了提高输出光功率,在其半球形的内表面上镀了一层折射率为n2=1.3

图13-17所示为一GaAs发光管,为了提高输出光功率,在其半球形的内表面上镀了一层折射率为n2=1.38的增透膜。已知GaAs发射的光波长为λ=930 nm,折射率为n1=3.4,求增透膜的最小厚度e0为多少。

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第2题

砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入（在As的位置上）属于（）型半导体。

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第3题

太阳能电池一般由半导体材料制成。下面不属于半导体材料的是（)。

A.锗

B.玻璃

C.砷化镓

D.硅

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第4题

化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（)。

A.锡

B.硼

C.磷

D.锰

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第5题

半导体元件有锗、硅等的单质，砷化镓和其他化合物，其电阻值随温度的上升而增加（)

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第6题

以（）为代表的半导体材料目前被广泛应用于微电子和光电子领域。

A.砷

B.硅

C.锗

D.镓

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第7题

为了避免陷落效应，晶体管的发射区多采用（)扩散来代替磷扩散。

A.铟

B.硼

C.镓

D.砷

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第8题

图所示钢轴AB的直径为80mm，轴上有一直径为80mm的钢质圆杆CD，CD垂直于AB。若AB以匀角速度ω=40rad／s转动。材料

图所示钢轴AB的直径为80mm，轴上有一直径为80mm的钢质圆杆CD，CD垂直于AB。若AB以匀角速度ω=40rad/s转动。材料的许用应力[σ]=70MPa，密度ρ=7.8g/cm³。试校核AB轴及CD杆的强度。

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第9题

在图所示的结构中，AB是直径为8mm，长为1.9m的钢杆，其弹性模量E=200GPa；BC杆为截面A=（200×200)mm2，长为2.5m的

在图所示的结构中，AB是直径为8mm，长为1.9m的钢杆，其弹性模量E=200GPa；BC杆为截面A=(200×200)mm²，长为2.5m的木柱，弹性模量E=100GPa，试计算节点B的位移。

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第10题

在N型半导体中掺入微量的（)等元素，在半导体中就会产生许多带负电的电子。

A.锑、磷、砷

B.锑、铝、砷

C.铟、磷、砷

D.锑、镓、砷

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