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更多“电力二极管的基本结构是半导体PN结,P型半导体上引出阳极A,…”相关的问题
第1题
关于PN结下列说法正确的是：()。
A、PN结是P型，N型半导体混合制成的
B、PN结是P型，N型半导体相接触形成的
C、PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的
D、PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
第2题
关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。
A.自由电了是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体
D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
第3题
以下关于典型全控型器件描述不正确的是（）
A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
第6题
关于P型半导体的下列说法，错误的是（)。
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
