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[判断题]

可变电阻区对应的是沟道夹断前,饱和区对应的是沟道夹断后,截止区对应的是没有沟道()

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第1题
某N沟道场效应管的开启电压UGS(th)=4V,其UGS=6V,UDS=12V,则该场效应管工作在( )。

A.可变电阻区

B.恒流区

C.截止区

D.无法判断

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第2题
如果 N沟道增强型MOSFET工作在饱和区,则满足iD=Kn()的平方。其中 Kn和 vGS 是常数
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第3题
电缆沟道(竖井)内、电缆夹层属于一级动火区。()
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第4题
弄清下列概念的含义及其区别:结型与绝缘栅型;N沟道和P沟道;耗尽型与增强型;夹断与预夹断;夹断电压与开启电
压;电流控制与电压控制。
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第5题
测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V,其开启电压或夹断电压为-1V,该管工作在()。

A.可变电阻区

B.预夹断临界点

C.截止区

D.饱和区

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第6题
‎MOS管中,导电沟道的有效长度会随着所加的VDS调制:增加VDS将使漏结的耗尽区加大,从而增加了有效沟道的长度。()‏
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第7题
已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=-5V。下表给出四种状态下的UGS和UDS的值,判断各状态下管子工作在什么区(

已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=-5V。下表给出四种状态下的UGS和UDS的值,判断各状态下管子工作在什么区(a.恒流区,b.可变电阻区,c.截止区)。

1234
UGS/V-1-2-2-6
UDS/V34210
工作区
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第8题
已知N沟道增强型MOSFET的μn=1000cm2/(V·s),Cox=3×10-8F/cm2,,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:

已知N沟道增强型MOSFET的μn=1000cm2/(V·s),Cox=3×10-8F/cm2,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:

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第9题
结型场效应管发生预夹断后,管子()

A、关断

B、进入恒流区

C、进入饱和区

D、可变电阻区

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第10题
N沟道增强型MOSFET饱和区工作条件是删源电压VGS大于开启电压VT,漏源电压 VDS 大于 删源电压VGS和开启电压VT之差()
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