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[主观题]

平衡状态下半导体中载流子浓度载流子的产生率等于复合率,而当时,载流子的复合率()产生率。

A.大于

B.等于

C.小于

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第1题
杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。 A.大于 B.等于 C.小于
杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。

A.大于 B.等于 C.小于

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第2题
对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与()

A.平衡载流子浓度成正比

B.非平衡载流子浓度成正比

C.平衡载流子浓度成反比

D.非平衡载流子浓度成反比

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第3题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半导体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓
度小?
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第4题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半分体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小?

电工学第七版下册课后练习与思考题答案 14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半分体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小?

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第5题
某p型半导体掺杂浓度NA=1016cm-3,少子寿命τn=10μs,在均匀光的照射下产生非平衡载流子,其产生率g=1018cm-3·s

某p型半导体掺杂浓度NA=1016cm-3,少子寿命τn=10μs,在均匀光的照射下产生非平衡载流子,其产生率g=1018cm-3·s,试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设本征载流子浓度ni=1010cm-3)。

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第6题
一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n0和p0,恒定光照下,产生的电子—空穴对数为Q/cm3·s,复合系数为γ。今另加

一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n0和p0,恒定光照下,产生的电子—空穴对数为Q/cm3·s,复合系数为γ。今另加一闪光,产生附加光载流子的浓度为△n=△p(<<n0)。试证,闪光t秒后,样品内空穴浓度为

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第7题
杂质半导体中的多数载流子是由_________产生的,少数载流子是由_________产生的,在二极管中,多数
载流子形成_________电流,少数载流子形成_________电流。

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第8题
用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上,被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子,其产生率为gp,非平衡空
用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上,被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子,其产生率为gp,非平衡空穴的寿命为τp,光脉冲宽度△t=3τp
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第9题
()杂质可显著改变载流子浓度;()杂质可显著改变非平衡载流子的寿命,是有效的复合中心。

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