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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第1题
下图为N沟道绝缘栅型场效应管的结构示意图,下列关于它的描述正确的是()
A.栅极g与源极s,栅极g与漏极d,都由二氧化硅隔离绝缘的,故称为绝缘删型场效应管。

B.通常将衬底b与源极g连接在一起使用。

C.在栅极g与源极s之间加删源电压UGS时,栅极g和衬底b各相当于一个电容极板,中间是二氧化硅绝缘层,于是,栅极g和源极s之间有了电场效应。

D.栅极g与源极s之间加上适当的电压UGS时,会在P型衬底中形成连接漏极与源极之间的、受UGS控制的N型导电沟道。从而能实现栅源电压UGS控制漏极电流ID的放大作用。

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第2题
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

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第3题
增强型场效应管当其栅一源电压为0V时,不存在导电沟道。()
增强型场效应管当其栅一源电压为0V时,不存在导电沟道。( )
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第4题
增强型NMOS场效应管必须在()时,才能形成导电沟道,在UGS作用下形成漏极电流ID。

A.UGS>UT

B.UGS

C.UGS=0

D.UGS>UT

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第5题
试解释为什么N沟道增强型绝缘栅场效晶体管中,靠近漏极的导电沟道较窄,而靠近源极较宽?
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第6题
功率场效应晶体管的输出特性表示在栅源电压VCS为一定值时,()之间的关系。

A.漏极电流与漏极电压

B.源极电流与漏极电压

C.漏极电流与漏源极电压

D.源极电流与漏源极电压

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第7题
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第8题
当UGS=0时,漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管,漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。
当UGS=0时,漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管,漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。
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第9题
当栅源电压等于零时,增强型FET___导电沟道,结型FET的沟道电阻___。

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