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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

如图所示，一个很长的n型半导体样品，其中心附近长度为2a的范围内被光照射。假定光均匀地穿透样品，电子—空穴对

的产生率为g(g为常数)，试求出小注入情况下样品中稳态少子分布。

如图所示，一个很长的n型半导体样品，其中心附近长度为2a的范围内被光照射。假定光均匀地穿透样品，电子

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第1题

用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为gp，非平衡空

用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为g_p，非平衡空穴的寿命为τ_p，光脉冲宽度△t=3τ_p。

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第2题

某一半导体样品，在有光照时的电阻为50Ω，无光照时的电阻为5kΩ，试求出该半导体样品的光电导？

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第3题

N型半导体中，电子数目多于空穴数目，其导电能力主要由电子决定，所以称为（)型半导体。

A.空穴

B.电子

C.光敏

D.热敏

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第4题

测定熔点时，为什么要将样品放在如图所示的位置上()

A.防止暴沸

B.使样品受热均匀

C.使样品附近温度缓慢上升

D.防止样品降解

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第5题

p型半导体样品，热端的空穴向冷端扩散，冷端带正电，热端带负电。（)

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第6题

本征半导体样品两端数有电极，沿电极方向加油电场，当在垂直于电场方向有均匀光照入射到样品表面，且入射光通量恒定时，样品流出的光流称为（)光电流。

A.A. 动态

B.B. 亮态

C.C. 暗态

D.D. 稳态

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第7题

P型半导体中，自由电子的数目少于空穴的数目，其导电能力主要由空穴决定，所以称为（)型半导体。

A.空穴

B.电子

C.光敏

D.热敏

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第8题

靠电子导电的半导体叫空穴半导体，简称P型半导体。（)

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第9题

用光子流强度为P₀，光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知E_g＞ h_y ＞ qφ_B⌘

用光子流强度为P₀，光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知E_g＞ h_y＞ qφ_{B⌘用光子流强度为P₀，光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知E_g＞ h_y＞ qφ_B。(φ为接触势垒高度)，则在金属层内产生的光生电子，有部分向半导体内发射。如金属中光的吸收系数为a,金属厚度为1。在离光照(金属)面x处，光生电子逸入半导体的几率为。设金属中光生电子量子产额为β。}

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第10题

在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是、N型半导体中的电流主要是，

A.电子电流、空穴电流

B.空穴电流、电子电流

C.离子电流、空穴电流

D.离子电流、电子电流

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