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[主观题]
在一块p型半导体中，有一种复合—产生中心，小注入时被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过
程有相同的概率。试求这种复合—产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心？
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讨论寿命τ与复合中心能级E，在禁带中位置的关系，并简单说明其物理意义。
光照一个1Ω·cm的n型硅样品，均匀地产生非平衡载流子，电子—空穴对的产生率为1017cm-2·s-1。设样品的寿命为10μs，表面复合速度为100cm/s。试计算：
①单位时间在单位面积表面复合的空穴数。
②单位时间单位表面积下离表面三个扩散长度的体积内复合的空穴数。
一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n0和p0，恒定光照下，产生的电子—空穴对数为Q/cm3·s，复合系数为γ。今另加一闪光，产生附加光载流子的浓度为△n=△p(＜＜n0)。试证，闪光t秒后，样品内空穴浓度为
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电．而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
B.N型半导体的导电性能优于P型半导体，因为N型半导体是负电子导电，P型半导体是正离子导电
C.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去．大大提高了半导体导电性能
D.P型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
