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[主观题]

试分析下图所示电路,已知UCC=18V,RL=8Ω,三极管T1、T2的饱和管压降UCES=2V,回答下列问题:

试分析下图所示电路,已知UCC=18V,RL=8Ω,三极管T1、T2的饱和管压降UCES=1V,回答下列问题:

试分析下图所示电路,已知UCC=18V,RL=8Ω,三极管T1、T2的饱和管压降UCES=2V,回答

试分析下图所示电路,已知UCC=18V,RL=8Ω,三极管T1、T2的饱和管压降UCES=2V,回答

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第1题
在下图所示的电路中,已知G1、G2均为TTL与非门,其输出高电平UOH=3.6V,输出低电平UOL=0.3V,最大拉电流负载IOH=-400μA,最大灌电流负载IOL=10mA;三极管工作在开关状态,导通时UBE=0.7V,饱和管压降UCES=0.3V,β=40;发光二极管导通压降UD=2V,发光时正向电流ID为5~10mA, 试回答: ①G1、G2工作在什么状态时发光二极管可能发光? ②三极管的

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第2题
电路如下图所示,已知输入信号ui为正弦波,电源电压VCC=15V,VT1、VT2的饱和管压降|UCES|=3V,负载RL=8Ω。
电路如下图所示,已知输入信号ui为正弦波,电源电压VCC=15V,VT1、VT2的饱和管压降|UCES|=3V,负载RL=8Ω。

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第3题
电路如下图所示,已知各晶体管的β=100,UBE1=0.7V,rbb'=200Ω,临界饱和压降UCES=0.6V

电路如下图所示,已知各晶体管的β=100,UBE1=0.7V,rbb'=200Ω,临界饱和压降UCES=0.6V

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第4题
电路如图T1.6所示,已知T1和T2的饱和管压降|VCES|=2V,直流功耗可忽咯不计。回答下列问题: (1)R3、R4和T3的作

电路如图T1.6所示,已知T1和T2的饱和管压降|VCES|=2V,直流功耗可忽咯不计。回答下列问题:

(1)R3、R4和T3的作用是什么?

(2)负载上可能获得的输出功率Pom和电路的转换效率η各为多少?

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第5题
用万用表直流电压挡测得电路中三极管(均为NPN硅管)各电极的对地电位如下图所示,试判断各三极管分别工作于什

用万用表直流电压挡测得电路中三极管(均为NPN硅管)各电极的对地电位如下图所示,试判断各三极管分别工作于什么状况(截止,饱和,放大)。

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第6题
已知下图所示各MOSFET管的,忽略电阻上的压降,试确定其工作状态(导通或截止)。

已知下图所示各MOSFET管的VT,忽略电阻上的压降,试确定其工作状态(导通或截止)。

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第7题
在图4-9所示电路中,已知三极管的UCC=32V,三极管饱和压降,RL=16Ω,求: (1) 电路的最大不失真输出功率Pom; (
在图4-9所示电路中,已知三极管的UCC=32V,三极管饱和压降,RL=16Ω,求:

(1) 电路的最大不失真输出功率Pom

(2) 输出功率最大时电路的效率η;

(3) 三极管VT1的最大管耗PT1及管耗最大时的输出功率Po和效率η;

(4) 确定三极管极限参数ICM、UBR,CEO及PTM的选择范围。

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第8题
电路如下图所示,已知VCC=VBE=20V,RL=10Ω,晶体管的饱和压降UCE(sat)≤2V,输入电压ui为正弦信号。 试:

电路如下图所示,已知VCC=VBE=20V,RL=10Ω,晶体管的饱和压降UCE(sat)≤2V,输入电压ui为正弦信号。

试求:输出电压的有效值U0为多少

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第9题
NPN三极管组成的共射电路如图1-5所示。设UBE=0.7V,饱和压降为UCES。试判定三极管处于何种工作状态(放大、饱和、

NPN三极管组成的共射电路如图1-5所示。设UBE=0.7V,饱和压降为UCES

试判定三极管处于何种工作状态(放大、饱和、截止)。

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