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[主观题]

画出用一个半径为r/4的圆形结构元素膨胀1个半径为r的圆的示意图; (2)画出用上述结构元素

画出用一个半径为r/4的圆形结构元素膨胀1个半径为r的圆的示意图; (2)画出用上述结构元素膨胀一个r×r的正方形的示意图; (3)画出用上述结构元素膨胀一个侧边长为r的等腰三角形的示意图; (4)将(1)、(2)、(3)中的膨胀改为腐蚀,分别画出示意图。

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第1题
用6264型RAM构成一个64 K×16位存储器,画出结构示意图。

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第2题
用2114(1K×4位)RAM构成一个4K×8位的存储器,试画出电路连接示意图。
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第3题
在298K时,有一定量的单原子理想气体(CV,m=1.5R),从始态2000kPa及20dm3经下列不同过程膨胀到终态压力为100kP

在298K时,有一定量的单原子理想气体(CV,m=1.5R),从始态2000kPa及20dm3经下列不同过程膨胀到终态压力为100kPa,求各过程的△U、△H、Q及W。(1)等温可逆膨胀;(2)绝热可逆膨胀;(3)以δ=1.3的多方过程可逆膨胀。试在p-V图上画出三种膨胀功的示意图,并比较三种功的大小。

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第4题
在298 K时,有一定量的单原子理想气体(Cv,m=1.5R),从始态2 000 kPa及20 dm³经下列不同过程膨胀到终态压力为100kPa,求各过程的△U、△H、Q及W.(1)等温可逆膨胀;(2)绝热可逆膨胀;(3)以δ=1.3的多方过程可逆膨胀。试在p-V图上画出三种膨胀功的示意图,并比较三种功的大小。

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第5题
已知如下所示长度为12的表:(Jan, Feb, Mar, Apr, May, June, July, Aug, Sep, Oct, Nov, Dec) (3)按表中元素顺序构造一棵平衡二叉排序树,画出每插入一个元素的示意图并标明类型(LL,RR,LR,RL),并求其在等概率的情况下查找成功的平均查找长度。

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第6题
以长光栅为例,画出其结构组成示意图并说明莫尔条纹的形成原理。

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第7题
用容量为512x8位的RAM芯片,欲扩展为4Kx8位的存储系统,需用几片RAM?画出连线示意图。

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第8题
对于下面的每一步画出栈中元素及栈顶指针示意图: (1)空栈。 (2)元素A进栈。 (3)元素X进栈。 (4)删

对于下面的每一步画出栈中元素及栈顶指针示意图:

(1)空栈。

(2)元素A进栈。

(3)元素X进栈。

(4)删除顶元素。

(5)元素T进栈。

(6)元素G进栈。

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第9题
一个几何体的俯视图是一个圆,用斜二侧画法画出正视图和俯视图都是边长为6和4的平行四边形,则该几何体的体积为 ( ▲ )
A.B.C.D.以上答案均不正确
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