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[单选题]
在P型半导体中掺入微量的()等元素后,半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。
A.铟、铝、锑、镓
B.铟、铝、硼、镓
C.铟、磷、锑、砷
D.铟、锑、硼、镓"
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A.铟、铝、锑、镓
B.铟、铝、硼、镓
C.铟、磷、锑、砷
D.铟、锑、硼、镓"
在一掺硼的非简并p型硅中,含有一定浓度的铟,室温下测出空穴浓度p0=1.1×1016cm-3。已知掺硼浓度NAl=1016cm-3其电离能△EA1=EA1-Ev=0.046eV,铟的电离能△EA2=EA2-Ev=0.16eV,试求这种半导体中含铟的浓度。室温下硅的Nv=1.04×1019cm-3。
A、半导体材料的霍尔常数比金属的大
B、半导体中电子迁移率比空穴高
C、半导体材料的电子迁移率比较大
D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件