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[单选题]

在P型半导体中掺入微量的()等元素后,半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。

A.铟、铝、锑、镓

B.铟、铝、硼、镓

C.铟、磷、锑、砷

D.铟、锑、硼、镓"

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第1题
半导体掺入以下()元素后会产生许多缺少电子的空穴。

A . 锑

B . 磷

C . 砷

D . 硼

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第2题
半导体中掺入微量的硼、镓、铝等元素后,形成N型半导体。()
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第3题
在一掺硼的非简并p型硅中,含有一定浓度的铟,室温下测出空穴浓度p0=1.1×1016cm-3。已知掺硼浓度NAl=1016cm-3

在一掺硼的非简并p型硅中,含有一定浓度的铟,室温下测出空穴浓度p0=1.1×1016cm-3。已知掺硼浓度NAl=1016cm-3其电离能△EA1=EA1-Ev=0.046eV,铟的电离能△EA2=EA2-Ev=0.16eV,试求这种半导体中含铟的浓度。室温下硅的Nv=1.04×1019cm-3

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第4题
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些()。

A、半导体材料的霍尔常数比金属的大

B、半导体中电子迁移率比空穴高

C、半导体材料的电子迁移率比较大

D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件

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第5题
光子探头采用()材料作用温度传感元件。

A.碲镉汞

B.锑镉铟

C.锑镉铋

D.汞镉铟

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第6题
在一掺硼的非简并p型硅中,含有一定浓度的铟,室温下测出空穴浓度p0=1.1×1016cm-3。已知掺硼浓度NA1
=1016cm-3其电离能△EA1=EA1-Ev=0.046eV,铟的电离能△EA2=EA2-Ev=0.16eV,试求这种半导体中含铟的浓度。室温下硅的Nv=1.04×1019cm-3。

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第7题
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟,在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟,在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为Na1=1016/cm3,硼的电离能为Ea1-Ev=0.045eV,铟的电离能为Ea2-Ev=0.16eV,试求样品中铟的浓度Na2[室温下为Nv=1.04×1019/cm3,μp=200cm2/(V·s)]。
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第8题
太阳能光伏发电的最基本元件有()

A.太阳能电池(片)

B.单晶硅

C.多晶硅

D.非晶硅

E.铜铟镓硒薄膜电池

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第9题
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()

A.改变禁带宽度

B.产生复合中心

C.产生空穴陷阱

D.产生等电子陷阱

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