下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是
A.信息可读可写,并且读、写速度一样快
B.存储元由 MOS 管组成,是一种半导体存储器
C.掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器
D.采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器
交叉编址的存储器实质是一种________存储器,它能________执行________独立的读/写操作。
A.模块式,并行,多个
B.模块式,串行,多个
C.整体式,并行,一个
从存储器中读出或向存储器中写入一个信息所需要的时间称为( )。
A)等待时间 B)查找时间
C)存取周期 D)生命周期