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[单选题]

有机性气体大多产生在下列哪道工艺()。

A.离子注入

B.刻蚀

C.扩散

D.光刻

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第1题
主要半导体制造工艺的工序有()。

A.薄膜生长

B.刻蚀

C.光刻

D.离子注入

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第2题
在离子束加工时中,哪种加工方式能改变工件表面材料成分()。

A.离子刻蚀

B.离子注入

C.离子溅射沉积

D.离子镀

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第3题
湿法刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性反应物而被去除()
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第4题
通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。
通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。

A.光刻胶

B.衬底

C.表面硅层

D.扩散区

E.源漏区

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第5题
下列哪几项不是老子“道”的特点 ()

A.辩证性

B.超越性

C.形而上

D.物质性

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第6题
气体保护扩散焊是在惰性气体或还原性气体中进行的扩散焊。
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第7题
光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统,光刻工艺中最主要的工艺控制项是()和()。
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第8题
鼻咽癌的扩散转移途径多见()

A.种植性转移

B.血道转移

C.淋巴道转移

D.直接蔓延

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第9题
关于扩散现象,下列说法正确的是()

A.温度越高,扩散进行得越快

B.扩散现象是不同物质间的一种化学反应

C.扩散现象是由物质分子无规则运动产生的

D.扩散现象在气体、液体和固体中都能发生

E.液体中的扩散现象是由于液体的对流形成的

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第10题
肿瘤的扩散包括()

A.局部浸润

B.直接蔓延

C.淋巴道转移

D.血道转移

E.种植性转移

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第11题
制结可以用多种方法制备晶体硅太阳能电池的p–n结,通常采用()

A.离子注入法

B.外延法

C.激光法

D.扩散法

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