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[判断题]

微库仑分析中，对于偏压原因形成的拖尾峰，正确的处理是降低偏压。（)

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更多“微库仑分析中，对于偏压原因形成的拖尾峰，正确的处理是降低偏压…”相关的问题

第1题

对于剪力墙结构的偏压抗震承载力系数取0.7。（)

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第2题

对于偏心受压构件承载力，下列说法哪个是正确的：（)。

A.大、小偏压均为，N越大，M越小

B.大、小偏压均为，N越大，M越大

C.大偏压构件为，N越大，M越小

D.小偏压构件为，N越大，M越小

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第3题

单层厂房柱是偏心受压构件,柱截面常采用对称配筋,以下说法正确的是（)

A.当N一定时,对于大偏压,M越小,则钢筋用量越大

B.当N一定时,对于小偏压,M越小,则钢筋用量越大

C.当M一定时,对于大偏压,N越大,则钢筋用量越大

D.当M一定时,对于小偏压,N越大,则钢筋用量越大

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第4题

提高谐振功率放大器功率与效率的途径是（)

A.尽量降低集电极耗散功率

B.采用自给偏压

C.采用负偏压

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第5题

丙类工作状态的栅偏压比截止栅压更负，若振荡管采用固定栅偏压，管子将恒处于饱和状态。（)

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第6题

对于BTS2.X基站，参数“直流偏压门限”影响干扰带统计结果，所以该参数设置影响无线网络质量。（)

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第7题

旋筋可以提高轴心受压柱延性，不能提高偏压构件延性（)

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第8题

当ei≥0.3h0时，则该受压构件肯定是大偏压构件。（)

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第9题

放大电路中自偏压电路有何特点？说明产生自偏压的条件。

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第10题

对于n沟道MOSFET，在源漏之间加上偏压，通常将电位高的一端称为()。

对于n沟道MOSFET，在源漏之间加上偏压，通常将电位高的一端称为（)。

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