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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

砷化镓的器件的缺点是功率较低，低于()。

A.50W

B.100W

C.150W

D.200W

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第1题

（)制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

A.砷化镓

B.氮化硅

C.InP

D.硅

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第2题

第一个晶体管采用的半导体材料是（)。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

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第3题

化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（)。

A.锡

B.硼

C.磷

D.锰

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第4题

霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（)及锑化铟等半导体材料制成。

A.锗

B.硅

C.砷化镓

D.砷化铟

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第5题

砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入（在As的位置上）属于（）型半导体。

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第6题

砷化镓半导体激光器（GaAlAs)，发射红外光心势离为5.0mW，计算光子的产生率。

砷化镓半导体激光器(GaAlAs)，发射红外光心势离为5.0mW，计算光子的产生率。

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第7题

世界上第一块集成电路是在半导体材料（)上制作的。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.氮化硅

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第8题

神八采用的太阳能电池材料是（)。

A.晶体硅

B.非晶硅

C.砷化镓

D.纳米TiO2

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第9题

太阳能电池一般由半导体材料制成。下面不属于半导体材料的是（)。

A.锗

B.玻璃

C.砷化镓

D.硅

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第10题

河北省半导体研究所于1963年成功研制了（)

A.氮化镓型晶体管

B.硅平面型晶体管

C.砷化镓型晶体管

D.碳纳米型晶体管

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第11题

磷砷化镓光线的波长与磷和砷的比例有关，磷的比例大，则光线的波长()。

A.长

B.短

C.强

D.弱

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