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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，

如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

，并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

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第1题

在半导体PN结附近总是堆积着正、负电荷，在N区内有正电荷，P区内有负电荷，两区电荷的代数和为零。

我们把PN结看成是一对带正、负电荷的无限大平板，它们相互接触(见本题图)。取坐标x的原点在P、N区的交界面上，N区的范围是-xN≤x≤0，P区的范围是0≤x≤Xp。设两区内电荷体分布都是均匀的：

这里nN、np是常量，且(两区电荷数量相等)。试证明：

(1)电场的分布为：

并画出ρe(x)和E(x)随x变化的曲线。

(2)PN结内的电势分布为：

这公式是以何处为电势零点的？PN结两侧的电势差多少？

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第2题

在PN结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻率（)。

A.很高

B.很低

C.等于N型或P型半导体的电阻率

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第3题

PN结的空间电荷区的电荷有（)。

A.施主离子

B.受主离子

C.电子

D.空穴

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第4题

PN结空间电荷区是由（_ _ _)

A、电子和空穴的构成

B、正离子和负离子构成

C、施主杂质原子和受主杂质原子构成

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第5题

空间电荷区的正离子和负离子不可以复合（）

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第6题

PN结是P、N区（)的一个空间电荷区。

A.交界面处

B.两侧

C.共有

D.内部

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第7题

有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm－3和ND=2×1016cm－3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2／（V

有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为N_A=9×10¹⁵cm^-3和N_D=2×10¹⁶cm^-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm²/(V·s)和500cm²/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm²/(V·s)和900cm²/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10^-2cm²。当外加正向电压V_F=0.65V时，

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第8题

关于PN结下列说法正确的是：()。

关于PN结下列说法正确的是：（)。

A、PN结是P型，N型半导体混合制成的

B、PN结是P型，N型半导体相接触形成的

C、PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的

D、PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的

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第9题

P型半导体中的多数载流子是______，N型半导体中的多数载流子是______ 。

A.电子

B.空穴

C.正离子

D.负离子

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第10题

P型半导体的多数载流子是（)。

A.空穴

B.自由电子

C.正离子

D.负离子

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