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第3题
P＋N结空间电荷区边界分别为－xp和xn，利用eV／VT（V为PN结偏压)导出pn（xn)表达式．给出N区空穴为小注入和大注入
P+N结空间电荷区边界分别为-xp和xn，利用
(V为PN结偏压)导出pn(xn)表达式．给出N区空穴为小注入和大注入两种情况下的pn(xn)表达式
第5题
在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是 、N型半导体中的电流主要是 ，
A.电子电流 、 空穴电流
B.空穴电流 、电子电流
C.离子电流 、 空穴电流
D.离子电流 、 电子电流
第7题
在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱，这种现象称为杂质补偿。
A．错误
B．正确
第11题
有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm－3和ND=2×1016cm－3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2／（V
有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时，
