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当温度升高时,三极管的等电极电流I(),发射结压降BEU()。

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第1题
温度升高时,三极管的穿透电流ICEO将______,电流放大系数β将______,发射结压降UBE将______。
温度升高时,三极管的穿透电流ICEO将______,电流放大系数β将______,发射结压降UBE将______。
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第2题
当温度升高时,三极管的下列参数变化趋势为:电流放大系数β__________,反向饱和电流ICBO_________,
IB不变时,发射结正向电压VBE__________。

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第3题
环境温度升高时,晶体管的β______,反向电流______,发射结压降______。 A.增大B.减小C.不变
环境温度升高时,晶体管的β______,反向电流______,发射结压降______。

A.增大B.减小C.不变

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第4题
当温度上升时、晶体管的管压降UBE、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO分别将()、()和()。

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第5题
某工作在放大状态的三极管,当基极电流IB由60μA降低到40μA时,集电极电流IC由2.3mA降低到1.5mA,则此三极管的动态电流放大系数β为()。

A. 37.5

B. 38.3

C.40

D. 57.5

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第6题
温度的升高最终结果都是使三极管的集电极电流(),从而影响整个放大电路的稳定性,实际电路中可采用基极分压式()

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第7题
温度升高时,二极管在正向电流不变的情况下的正向压降______,反向电流______。 A.增大 B.减小 C.不变
温度升高时,二极管在正向电流不变的情况下的正向压降______,反向电流______。

A.增大 B.减小 C.不变

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第8题
硅三极管发射结的死区电压约__________V,锗三极管发射结的死区电压约_________V。晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约_________V,锗管发射结的导通电压约_________V

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第9题
当三极管的发射结和集电结都处于正偏时,三极管处于饱和状态。()
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