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第1题
已知names=[‘aa’,‘bb’,‘cc’,‘dd’]，delnames[2]后，names是（)。
A.[‘aa’,‘bb’,‘dd’]
B.[‘aa’,‘cc’,‘dd’]
C.[‘cc’,‘bb’,‘dd’]
D.[‘aa’,‘bb’,‘cc’,‘dd’]
第6题
制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些()。
制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（)。
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A、半导体材料的霍尔常数比金属的大
B、半导体中电子迁移率比空穴高
C、半导体材料的电子迁移率比较大
D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
第8题
下列关于霍尔元件的叙述，正确的有（)。
A.制作霍尔元件时多采用N型半导体材料
B.减小霍尔元件的厚度，可以提高其灵敏度
C.如果霍尔片两端的电压为E，那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值
D.金属可用于制作霍尔元件
第10题
若四相步进电机的四相绕组分别为AA、BB、CC、DD，请写出四相八拍工作方式的通电顺序(只写一种)：()。
若四相步进电机的四相绕组分别为AA、BB、CC、DD，请写出四相八拍工作方式的通电顺序（只写一种)：（)。
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