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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

A.选择性

B.均匀性

C.轮廓

D.刻蚀图案

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更多“刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测…”相关的问题
第1题
()是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

A.刻蚀速率

B.刻蚀深度

C.移除速率

D.刻蚀时间

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第2题
在刻蚀()过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。

A.铜

B.铝

C.金

D.二氧化硅

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第3题
湿法刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性反应物而被去除()
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第4题
湿法刻蚀刻蚀槽中溶液主要成分包括______

A.HF

B.NaOH

C.HNO3

D.H2SO4

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第5题
通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。
通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。

A.光刻胶

B.衬底

C.表面硅层

D.扩散区

E.源漏区

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第6题
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。

A.二氧化硅氮化硅

B.多晶硅硅化金属

C.单晶硅多晶硅

D.铝铜

E.铝硅

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第7题
单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

A.氮化硅

B.二氧化硅

C.光刻胶

D.多晶硅

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第8题
有机性气体大多产生在下列哪道工艺()。

A.离子注入

B.刻蚀

C.扩散

D.光刻

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第9题
主要半导体制造工艺的工序有()。

A.薄膜生长

B.刻蚀

C.光刻

D.离子注入

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第10题
刻蚀上料时,上料员要检查硅片是否有()

A.崩边

B.缺角

C.小黑点

D.缺片

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第11题
刻蚀带液片进入退火机台对退火石英舟没有响应。()
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