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[主观题]

在本征硅半导体中，掺入浓度为5×1015cm－3的受主杂质，试指出T=300K时所形成的杂质类型。若再掺入浓度为1016cm－

在本征硅半导体中，掺入浓度为5×10¹⁵cm^-3的受主杂质，试指出T=300K时所形成的杂质类型。若再掺入浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质，则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K，试分析为何种类型半导体

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更多“在本征硅半导体中，掺入浓度为5×1015cm－3的受主杂质，…”相关的问题

第1题

一块本征硅半导体，掺入五价元素砷，浓度为1014cm－3，试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，

一块本征硅半导体，掺入五价元素砷，浓度为10¹⁴cm^-3，试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。

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第2题

本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。()

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第3题

一块本征硅半导体，掺入五价元素砷，浓度为1014cm-3，试分别求出T=300 K、500 K时自由电子和空穴的热

平衡浓度值，并指出相应半导体类型。

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第4题

硅的禁带宽度Eg=1.1eV，当掺入少量杂质磷（△ED=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图？并

硅的禁带宽度E_g=1.1eV，当掺入少量杂质磷(△E_D=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图？并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限？

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第5题

某半导体硅样品，施主杂质原子的浓度为1012cm－3，试问在什么温度下它就不再呈现本征导电性？设Eg=1eV，

某半导体硅样品，施主杂质原子的浓度为10¹²cm^-3，试问在什么温度下它就不再呈现本征导电性？设E_g=1eV，

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第6题

根据在本征半导体中掺入的杂质不同，可把杂质半导体分为：()两大类。

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第7题

把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中，杂质的电离能和轨道半径是否不同？把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中（例如锗和硅），杂质的电离能和轨道半径又是否都相同？

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第8题

在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和()半导体。

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第9题

以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

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