硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算用此掺杂的半导

硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△E_D=0.045eV。试计算用此掺杂的半导体能吸收的光子的最大波长。