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第2题
硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算此掺杂半导体能
硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算此掺杂半导体能吸收的光子的最大波长。
第3题
硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算用此掺杂的半导
硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算用此掺杂的半导体能吸收的光子的最大波长。
第4题
晶体片的光轴平行于其表面，它对波长525.0nm的光的折射率为n0＝2.356与ne＝2.378。如果这种波长的线偏振光透过
晶体片的光轴平行于其表面，它对波长525.0nm的光的折射率为n0＝2.356与ne＝2.378。如果这种波长的线偏振光透过晶体片合成为偏振方向相同的线偏振光，问晶体片的最小厚度是多少？
第5题
太阳能光伏发电技术类型主要有：晶体硅太阳电池技术，()是当前太阳能光伏电池的主流。
太阳能光伏发电技术类型主要有：晶体硅太阳电池技术，（)是当前太阳能光伏电池的主流。
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A、太阳能电池
B、晶体硅电池
C、干式电
D、非晶体电池
第6题
关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（)
A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
第8题
试计算用方解石晶体制成的对波长分别为λ1=589.3nm的钠黄光和λ2=546.1nm的汞灯绿光的1/4波片的最小厚度为多少？
试计算用方解石晶体制成的对波长分别为λ1=589.3nm的钠黄光和λ2=546.1nm的汞灯绿光的1/4波片的最小厚度为多少？
第9题
KCl晶体在已填满的价带之上有一个7.6eV的禁带。对波长为140nm来说，此晶体是透明的还是不透明的？ [逻辑推理]
KCl晶体在已填满的价带之上有一个7.6eV的禁带。对波长为140nm来说，此晶体是透明的还是不透明的？
[逻辑推理] 如果光子的能量大于禁带的能量．则光子可以被吸收，从而晶体不透明；反之则晶体是透明的。
