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[多选题]
采用悬浮区熔提纯后的硅中基硼含量计算需要的参数包括______
A.P型硅电阻率
B.电子电荷
C.空穴迁移率
D.电子迁移率
E.N型硅电阻率
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试计算本征硅在室温时的电阻率。设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)，当掺入百万分一的砷(As)后，设杂质全部电离，试计算其电导率比本征Si的电导率增大多少倍？
有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时，
试证明：电导率为最小值时硅的霍尔系数
式中，，μn、μp分别为电子和空穴的迁移率，ni为本征载流子浓度(不考虑载流子的速度统计分布)。
试求出在室温下本征硅的塞贝克系数。
设电子和空穴的有效质量相等，硅的禁带宽度为1.12eV，电子和空穴的迁移率分别为0.135cm2/(V·s)和0.048cm2/(V·s)。
的电阻率．在这种情况下，最高的电阻率是本征半导体电阻率的多少倍？如果μn＞μp，最高电阻率的半导体是N型还是P型？
某一N型半导体电子浓度为1×1015cm-3，电子迁移率为1000cm2／(V.s)，求其电阻率。
InSb电子迁移率为7.8m2/(V·s)，空穴的迁移率为780cm2/(V·s)，本征载流子浓度为1.6×1016cm-3，求300K时
