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[主观题]
掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个/m3，电阻率是1.6×10-2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以
掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个/m3，电阻率是1.6×10-2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此硅片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时，测得0.2cm宽度的探头两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。
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用这种硅做成衢尔探头以测量磁场、硅片的尺寸相当小.是aXbXc=0.5 cmX0.2 cmX0.005 cm。将此片长度的两端接入电压为1 V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时，测得0.2cm宽度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的礅感应强度。
