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[单选题]

减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为()。

A.增加氧化层厚度

B.提高沟道区掺杂浓度

C.降低沟道长度

D.增加衬-源反偏电压

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第1题
衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在?()

A.源区

B.沟道区靠近源区一侧

C.沟道区靠近漏区一侧

D.漏区

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第2题
MOSFET晶体管的截止频率与下面哪种参数无关:()。

A.氧化层电容

B.沟道长度

C.载流子迁移率

D.电源电压

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第3题
导致MOSFET晶体管出现非零漏电导的因素不包括()。

A.沟道长度调制效应

B.漏电场静电反馈效应

C.漏感应势垒降低

D.亚表面穿通效应

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第4题
‎MOS管中,导电沟道的有效长度会随着所加的VDS调制:增加VDS将使漏结的耗尽区加大,从而增加了有效沟道的长度。()‏
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第5题
在错流过滤中,流动的剪切作用可以()。
在错流过滤中,流动的剪切作用可以()。

A . 减轻浓度极化,但增加凝胶层的厚度

B . 减轻浓度极化,但降低凝胶层的厚度

C . 加重浓度极化,但增加凝胶层的厚度

D . 加重浓度极化,但降低凝胶层的厚度

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第6题
为了提高Fe2(SO4)3的氧化能力,采取下列哪些措施__________; ①增加Fe3+的浓度,降低Fe2+的浓度;

为了提高Fe2(SO4)3的氧化能力,采取下列哪些措施__________; ①增加Fe3+的浓度,降低Fe2+的浓度; ②增加Fe2+的浓度,降低Fe3+的浓度; ③增加溶液的pH; ④降低溶液的pH。

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第7题
当经济中存在失业时,应该采取的财政政策措施为( )。

A.增加政府支出

B.提高个人所得税

C.提高公司所得税

D.增加货币发行量

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第8题
下述哪种镜片参数的改变会使镜片的重心前移( )

A.增加光学区直径

B.降低镜片厚度

C.提高负镜片的度数

D.减小镜片基弧

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第9题
单极型晶体管又称为______。其导电沟道分有N沟道和P沟道。

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第10题
单极型晶体管又称为()管。其导电沟道分有()沟道和P沟道。

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