首页 > 大学本科

题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

衬源短接的增强型NMOSFET，VDS＞0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在？（）

A.源区

B.沟道区靠近源区一侧

C.沟道区靠近漏区一侧

D.漏区

查看答案

如果结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装优题宝APP，拍照搜题省时又省心！

更多“衬源短接的增强型NMOSFET，VDS＞0正常开启时，衬底表…”相关的问题

第1题

N沟道增强型MOSFET饱和区工作条件是删源电压VGS大于开启电压VT,漏源电压 VDS 大于删源电压VGS和开启电压VT之差（）

点击查看答案

第2题

试解释为什么N沟道增强型绝缘栅场效晶体管中，靠近漏极的导电沟道较窄，而靠近源极较宽？

点击查看答案

第3题

减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为（）。

A.增加氧化层厚度

B.提高沟道区掺杂浓度

C.降低沟道长度

D.增加衬-源反偏电压

点击查看答案

第4题

功率MOSFET电压以漏极击穿电压为指标，它表示漏区沟道体区PN结所允许的最高反偏电压。（)

点击查看答案

第5题

当UGS=0时，漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

当U_GS=0时，漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

点击查看答案

第6题

可变电阻区对应的是沟道夹断前,饱和区对应的是沟道夹断后,截止区对应的是没有沟道（）

点击查看答案

第7题

增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（)。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

点击查看答案

第8题

油气差异聚集的结果，造成天然气分布在靠近油源区一侧的圈闭中，向上倾方向依次为（)。

A.油藏、空圈闭、油气藏

B.油藏、油气藏、空圈闭

C.空圈闭、油藏、油气藏

D.油气藏、油藏、空圈闭

点击查看答案

第9题

P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件(),欲使其能放大信号，则应将其设置在()区。

点击查看答案

湖南希赛网络科技有限公司版权所有 ©2001-2024

湘ICP备10203241号-11 营业执照

违法和不良信息举报电话：400-118-7898

举报/反馈/投诉邮箱：deng＃ujigu.com（请将＃替换成@）