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第3题
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.0mA/V2，VP=0.5V，iD=-0.5mA（假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.0mA/V2，VP=0.5V，iD=-0.5mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压VGS和漏源电压vDS等于多少？
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第4题
下图所示为MOSFET的转移特性，分别说明各属于哪种沟道。如是增强型，说明它的开启电压VT=？如是耗尽型，说明它的
下图所示为MOSFET的转移特性，分别说明各属于哪种沟道。如是增强型，说明它的开启电压VT=？如是耗尽型，说明它的夹断电压Vp=？(图中iD的假定正向为流进漏极。)
第6题
电路如下图所示，设R1=R2=100kΩ，VDD=5V，Rd=7.5kΩ，VT=－1V，Kp=0.2mA／V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源
电路如下图所示，设R1=R2=100kΩ，VDD=5V，Rd=7.5kΩ，VT=-1V，Kp=0.2mA/V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
第7题
电力MOSFET的种类和结构繁多，按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N（P)沟道器件，栅极电压大于（小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中，主要是______。
第8题
下图a、b所示为MOSFET的转移特性。请分别说明它们属于何种沟道。若是增强型，其开启电压UGS（th)为多少？若是耗尽
下图a、b所示为MOSFET的转移特性。请分别说明它们属于何种沟道。若是增强型，其开启电压UGS(th)为多少？若是耗尽型，其夹断电压UGS(off)为多少？(图中iD的正方向假定为流进漏极)。
第9题
下列选项中哪些属于对二极管PN结的单向导电性的描述？
A.PN结外加正向电压时，PN结表现为低阻态，处于正向导通状态，其正向压降只有1V左右。
B.PN结的反向电压过大时，会破坏PN的反向截止状态，发生雪崩击穿，导致反向电流急剧增大。
C.PN结外加反向电压时，PN结表现为高阻态，处于反向截止状态，只有很小的反向漏电流从阴极流入经PN结后从阳极流出。
D.二极管PN结因反向电压过大出现雪崩击穿时，PN结所在电流回路若不能将急剧增大的PN结反向电流限制住，则可能导致器件过热而烧毁。
