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[主观题]

当UGS=0时,漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管,漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

当UGS=0时,漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管,漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

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第1题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第2题
增强型场效应管当其栅一源电压为0V时,不存在导电沟道。()
增强型场效应管当其栅一源电压为0V时,不存在导电沟道。( )
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第3题
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

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第4题
栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是()。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第5题
按导电沟道分类,场效应管分为______和______场效应管。N沟道是以N型半导体作为______、电子型载
流子形成电流的场效应管。而P沟道则是以______作为导电沟道、空穴型载流子形成电流的场效应管。

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第6题
下图为N沟道绝缘栅型场效应管的结构示意图,下列关于它的描述正确的是()
A.栅极g与源极s,栅极g与漏极d,都由二氧化硅隔离绝缘的,故称为绝缘删型场效应管。

B.通常将衬底b与源极g连接在一起使用。

C.在栅极g与源极s之间加删源电压UGS时,栅极g和衬底b各相当于一个电容极板,中间是二氧化硅绝缘层,于是,栅极g和源极s之间有了电场效应。

D.栅极g与源极s之间加上适当的电压UGS时,会在P型衬底中形成连接漏极与源极之间的、受UGS控制的N型导电沟道。从而能实现栅源电压UGS控制漏极电流ID的放大作用。

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第7题
某场效应管的转移特性如图1.3所示,其中电流ID的参考方向为流入漏极,则该场效应管的类型为()。 A.增强型N
某场效应管的转移特性如图1.3所示,其中电流ID的参考方向为流入漏极,则该场效应管的类型为( )。

A.增强型N沟道场效应管

B.耗尽型N沟道场效应管

C.增强型P沟道场效应管

D.耗尽型P沟道场效应管

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第8题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第9题
试解释为什么N沟道增强型绝缘栅场效晶体管中,靠近漏极的导电沟道较窄,而靠近源极较宽?
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