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[主观题]

试解释为什么N沟道增强型绝缘栅场效晶体管中，靠近漏极的导电沟道较窄，而靠近源极较宽？

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第1题

增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（)。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第2题

衬源短接的增强型NMOSFET，VDS＞0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在？（）

A.源区

B.沟道区靠近源区一侧

C.沟道区靠近漏区一侧

D.漏区

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第3题

电路如下图所示，设R1=R2=100kΩ，VDD=5V，Rd=7.5kΩ，VT=－1V，Kp=0.2mA／V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源

电路如下图所示，设R₁=R₂=100kΩ，V_DD=5V，R_d=7.5kΩ，V_T=-1V，K_p=0.2mA/V²。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流I_D和漏源电压V_DS。

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第4题

某场效应管的转移特性如图1.3所示，其中电流ID的参考方向为流入漏极，则该场效应管的类型为()。 A．增强型N

某场效应管的转移特性如图1.3所示，其中电流I_D的参考方向为流入漏极，则该场效应管的类型为( )。

A．增强型N沟道场效应管

B．耗尽型N沟道场效应管

C．增强型P沟道场效应管

D．耗尽型P沟道场效应管

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第5题

增强型NMOS场效应管必须在（)时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。

A.UGS＞UT

B.UGS

C.UGS=0

D.UGS＞UT

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第6题

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第7题

在场效应管放大电路中，测得各极电位分别为UD=6V，US=3V，UG=1V，则该场效应管为()MOS管。

A、N沟道耗尽型

B、P沟道耗尽型

C、P沟道增强型

D、N沟道增强型

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第8题

当UGS=0时，漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

当U_GS=0时，漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

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第9题

增强型场效应管当其栅一源电压为0V时，不存在导电沟道。()

增强型场效应管当其栅一源电压为0V时，不存在导电沟道。( )

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