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[主观题]

PN光电二极管在0.85μm波长上量子效率为0.7,试计算它的响应度,以及入射光功率为-40dBm时的光电流。

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第1题
PIN光电二极管量子效率为0.9,λ=1.3μm,计算: (1)该器件的响应度; (2)入射光功率为-30dBm时的光电流。

PIN光电二极管量子效率为0.9,λ=1.3μm,计算:

(1)该器件的响应度;

(2)入射光功率为-30dBm时的光电流。

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第2题
已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W,一个光子的能量为2.24×10-19 J,电子电荷量为1.6已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W,一个光子的能量为2.24×10-19 J,电子电荷量为1.6×10-19 C,则该光电二极管的量子效率为()

A.40%

B.50%

C.60%

D.70%

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第3题
光电二极管在45℃时及噪声带宽为10~100kHz,计算被偏置的光电二极管的等效噪声功率(NEP),设暗电流ID=10nA,并

光电二极管在45℃时及噪声带宽为10~100kHz,计算被偏置的光电二极管的等效噪声功率(NEP),设暗电流ID=10nA,并联电阻Rp=100MΩ,灵敏度S=0.5A/W。

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第4题
光接收机的灵敏度是在给定()指标要求下的最低接收平均光功率min。

A.量子效率

B.误码率

C.响应度

D.动态范围

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第5题
光电检测器的响应度越高,说明它的量子效率就()。

A.不变

B.越低

C.越高

D.变化不大

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第6题
波长为632. 8 nm的He-Ne激光的谱线寬度为(以波长计) =2×10-3nm,试计算它的频谱宽度△v、相干长

波长为632. 8 nm的He-Ne激光的谱线寬度为(以波长计)=2×10-3nm,试计算它的频谱宽度△v、相干长度Lo及相干时间 。

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第7题
光电效应中,光电流的强度与什么有关?()

A.入射光的强度

B.光照射的时间

C.入射光的频率

D.响应时间

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第8题
【单选题】光电效应中,光电流的强度与什么有关?()

A.入射光的强度

B. 光照射的时间

C. 入射光的频率

D. 响应时间

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第9题
光电二极管的线性饱和是指它有一定的功率检测范围,当入射功率太强的时,光电流和光功率将不成正比,从而产生非线性失真。()
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第10题
当光敏二极管受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流()。

A.光电流随入射光强度的增加而减小

B.光电流不随入射光强度的变化而改变

C.光电流随入射光强度的变化而变化

D.以上都不对

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