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[单选题]
一块半导体寿命τ=15us，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30us后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）
A.1/4
B.1/e
C.1/e2
D.1/2
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某p型半导体掺杂浓度NA=1016cm-3，少子寿命τn=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=1018cm-3·s，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设本征载流子浓度ni=1010cm-3)。
一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n0和p0，恒定光照下，产生的电子—空穴对数为Q/cm3·s，复合系数为γ。今另加一闪光，产生附加光载流子的浓度为△n=△p(＜＜n0)。试证，闪光t秒后，样品内空穴浓度为
