如果结果不匹配，请 
更多“硅中掺入磷原子以后，形成（）型半导体。”相关的问题
第3题
P型半导体是在本征硅中掺入（)3价元素组成的，N型半导体是在本征硅中掺入（)5价元素组成的，因此，其多数载
P型半导体是在本征硅中掺入( )3价元素组成的，N型半导体是在本征硅中掺入( )5价元素组成的，因此，其多数载流子密度相对于硅原子密度而言是( )。
第8题
硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算此掺杂半导体能
硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算此掺杂半导体能吸收的光子的最大波长。
第9题
硅的禁带宽度Eg=1.1eV，当掺入少量杂质磷（△ED=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图？并
硅的禁带宽度Eg=1.1eV，当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图？并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限？
