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在图3-9所示电路中，已知增强型MOSFETI的
，VGS(th)=1.5V，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、IGSQ、VDSQ、gm、rds值。
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(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。
在图3-5所示电路中，假设两管μn、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA。若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/I)是T2管的5倍，试问流过电阻R的电流IR值。
。
在图4-11所示电路中，已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V，IDSS=5mA，图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V，μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2，试计算VGSQ、IDQ、VDSQ。
晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。
双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3-10所示，已知VGS(th)，=2V，μnCox=200μA/V2，W=40μm，l=10μm。设λ=0，要求ID=0.4mA，VD=1V，试确定RD、RS值。
，电源频率f=50Hz。试求R与L之值。
