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在图3-5所示电路中，假设两管μn、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA。若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/I)是T2管的5倍，试问流过电阻R的电流IR值。
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在图3-9所示电路中，已知增强型MOSFETI的
，VGS(th)=1.5V，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、IGSQ、VDSQ、gm、rds值。
(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。
。
(2)计算电流IC1、IC2、IBC、IC和电压VCE;(3)比较两个单管的β1、β2与复合管β(=IC/IBC)值.
在图4-11所示电路中，已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V，IDSS=5mA，图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V，μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2，试计算VGSQ、IDQ、VDSQ。
晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。
在图15-48所示电路中，已知二极管的导通电压UD=0.7V，晶体管导通时的|UBE|=0.7V，T2和T4管发射极静态电位UEQ=0V。
试问：(1)T1，T3和T5管基极的静态电位各为多少？(2)设R2=10kΩ，R3=100Ω。若T1和T3管基极的静态电流可忽略不计，则T5管集电极静态电流为多少？静态时ui=？(3)若静态时iB1＞iB3，则应调节哪个参数可使iB1=iB2？如何调节？(4)电路中二极管的个数可以是1，2，3，4吗？你认为哪个最合适，为什么？
