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[主观题]

在图4-11所示电路中,已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V,IDSS=5mA,图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的V

在图4-11所示电路中,已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V,IDSS=5mA,图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V,μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2,试计算VGSQ、IDQ、VDSQ

在图4-11所示电路中,已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V,IDSS

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第1题
在图3-9所示电路中,已知增强型MOSFETI的,VGS(th)=1.5V,沟道长度调制效应忽略不计,试求IDQ、IGSQ、VDSQ、gm、rds

在图3-9所示电路中,已知增强型MOSFETI的,VGS(th)=1.5V,沟道长度调制效应忽略不计,试求IDQ、IGSQ、VDSQ、gm、rds值。

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第2题
试确定图3-13所示P沟道EMOSFET电路中的RS、RD。要求器件工作在饱和区,且ID=0.5mA,VDS=-1.5V,VG=2V。已知,VGS(t

试确定图3-13所示P沟道EMOSFET电路中的RS、RD。要求器件工作在饱和区,且ID=0.5mA,VDS=-1.5V,VG=2V。已知,VGS(th)=-1V,设λ=0。

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第3题
在图3-5所示电路中,假设两管μn、Cox相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA。若忽略沟道长度调制效应,并设T1管的沟道宽长

在图3-5所示电路中,假设两管μn、Cox相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA。若忽略沟道长度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/I)是T2管的5倍,试问流过电阻R的电流IR值。

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第4题
图所示电路中,已知二端口网络N的Y参数为,试求:
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第5题
下图所示的电路中,已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V,计算ID和UDS的值。

下图所示的电路中,已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V,计算ID和UDS的值。

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第6题
图(a)所示电路中,已知,试求u2(t)。
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第7题
计算图2-31所示电路中a,b两端之间的等效电阻。

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第8题
图(a)、(b)所示电路中,N为同一线性无源电阻网络。在图(b)电路中,当

图(a)、(b)所示电路中,N为同一线性无源电阻网络。在图(b)电路中,当

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第9题
在图16.20所示电路中,已知RF=2R1,ui=-2V,试求输出电压uo。

在图16.20所示电路中,已知RF=2R1,ui=-2V,试求输出电压uo

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