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试确定图3-13所示P沟道EMOSFET电路中的RS、RD。要求器件工作在饱和区，且ID=0.5mA，VDS=-1.5V，VG=2V。已知
，VGS(th)=-1V，设λ=0。
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一N沟道EMOSFET组成的电路如图3-11所示，要求场效应管工作于饱和区，ID=1mA，VDSQ=6V，已知管子参数为
，VGS(th)=2V，设λ=0，试设计该电路。
设计图3-12所示电路，要求P沟道EMOS管工作在饱和区，且ID=0.5mA，VD=3V，已知
，VGS(th)=-1V，λ=0。
(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。
双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3-10所示，已知VGS(th)，=2V，μnCox=200μA/V2，W=40μm，l=10μm。设λ=0，要求ID=0.4mA，VD=1V，试确定RD、RS值。
在图4-11所示电路中，已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V，IDSS=5mA，图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V，μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2，试计算VGSQ、IDQ、VDSQ。
在图3-9所示电路中，已知增强型MOSFETI的
，VGS(th)=1.5V，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、IGSQ、VDSQ、gm、rds值。
在下图所示的电路中，试判断场效应管分别工作在哪个工作区(饱和区、截止区、变电阻区或恒流状态)？
